一种基于第一性原理设计金属离子掺杂改善银与氧化锡润湿性的方法，涉及一种改善银与氧化锡润湿性的方法。本发明是要解决目前电接触材料Ag/SnO2中Ag与SnO2之间的润湿性较差的技术问题。本发明提出采用第一性原理计算，可从原子尺度、基于元素特性和晶体结构，计算氧化锡与银界面的结合强度，并对元素间的电子轨道杂化，电荷转移等进行定量分析，从而获得金属离子掺杂改善氧化锡与银界面结合的机理。金属银易失电子，而当低价金属离子掺杂时会将氧化锡转变为P型半导体，以空穴作为载流子，而空穴载流子将与来自Ag的电子配对，在表层产生更大的电荷转移，从而形成更强的Ag‑O键，最终提高Ag与SnO2的界面润湿性。