- 专利标题: 一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法
-
申请号: CN202110246206.2申请日: 2021-03-05
-
公开(公告)号: CN115036496B公开(公告)日: 2024-02-13
- 发明人: 王志 , 陆继军 , 刘俊昊 , 钱国余 , 公旭中
- 申请人: 中国科学院过程工程研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北二条1号
- 专利权人: 中国科学院过程工程研究所
- 当前专利权人: 中国科学院过程工程研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北二条1号
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 巩克栋
- 主分类号: H01M4/38
- IPC分类号: H01M4/38 ; H01M4/04 ; H01M4/66 ; H01M10/0525 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明提供了一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法。本发明以切割废硅粉为硅源,柔性碳纤维布为基底,通过高温快速电致热冲击过程在基底上原位生长硅纳米线。所述的制备方法包括以下步骤:将切割废硅粉制成均匀分散的悬浊液;将柔性碳纤维布浸泡悬浊液中;碳纤维布干燥后进行电致热冲击,在柔性碳纤维布上原位生长硅纳米线。所得产品作为自支撑电极材料用于锂离子电池负极时,具有高容量和优异的循环稳定性。本发明硅纳米线高负载的柔性自支撑电极材料可以解决传统金属为集流体生长硅纳米线时低负载、纯度低的问题,并且本发明的制备过程短程、绿色、成本低,用于制备高能量密度锂离子电池负极材料具有广阔的前景。
公开/授权文献
- CN115036496A 一种硅纳米线基柔性自支撑电极材料及其制备方法 公开/授权日:2022-09-09