Invention Grant
- Patent Title: 等离子体生成装置
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Application No.: CN202180012025.1Application Date: 2021-03-29
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Publication No.: CN115039516BPublication Date: 2024-01-02
- Inventor: 高桥直树
- Applicant: ATONARP株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: ATONARP株式会社
- Current Assignee: ATONARP株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇
- Priority: 2020-062862 2020.03.31 JP
- International Application: PCT/JP2021/013168 2021.03.29
- International Announcement: WO2021/200773 JA 2021.10.07
- Date entered country: 2022-07-29
- Main IPC: H05H1/24
- IPC: H05H1/24 ; H01J49/10 ; H01J49/42
Abstract:
等离子体生成装置(10)具有：腔室(12)，其具备电介质壁构造，并且被流入作为测定对象的样本气体；RF供给机构(13)，其借助电介质壁构造通过电场以及/或者磁场在腔室内生成等离子体；以及浮动电位供给机构(16)，其包括沿着腔室的内表面配置的第一电极(17)。RF供给机构可以包括配置于相对于腔室的第一方向的RF场形成单元(14)，第一电极包括配置于相对于腔室的第二方向的电极。
Public/Granted literature
- CN115039516A 等离子体生成装置 Public/Granted day:2022-09-09
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IPC分类:
