发明公开
- 专利标题: 一种高压低功耗的E/D基准电路
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申请号: CN202210584208.7申请日: 2022-05-27
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公开(公告)号: CN115047935A公开(公告)日: 2022-09-13
- 发明人: 罗萍 , 何致远 , 陈嘉豪 , 王浩 , 宋浩 , 杨健 , 冯冠儒 , 吴泉澳
- 申请人: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
- 申请人地址: 四川省成都市高新西区西源大道2006号;
- 专利权人: 电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院
- 当前专利权人: 电子科技大学,电子科技大学广东电子信息工程研究院
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新西区西源大道2006号;
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 孙一峰
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
一种高压低功耗的E/D基准电路,它由启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块三部分组成。启动偏置电路模块用于在电源电压建立时使E/D基准电路脱离错误的简并点,同时为基准核心电路中的共栅管提供电压偏置,保证基准的正常建立;E/D基准核心电路利用增强型NMOS管和耗尽型NMOS管的不同阈值电压产生与温度、电源电压无关的基准电压,具有较低的静态电流和良好的温度系数,且电路中使用了较多高压功率管,结合Cascode结构的电流偏置保证了基准能够在数十伏的高压输入下工作;由于在不同的工艺角下阈值电压的变化较大,因此该E/D基准包含了一个N‑bit的修调电路模块,保证了该基准电压在不同的工艺角下均具有良好的温度系数。
公开/授权文献
- CN115047935B 一种高压低功耗的E/D基准电路 公开/授权日:2023-05-19
IPC分类: