本发明提供了一种在BaFe2As2单晶基底上制备Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜的方法，以金属钡(Ba)、铯(Cs)、铁(Fe)以及砷(As)或者它们之间的化合物作为原料，研磨后封管在密闭的条件下烧结，即可在BaFe2As2单晶基底上生长出Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。本发明制备工艺简单、操作方便，可制备出含活泼金属元素Cs的Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。所得超导薄膜具有高的临界转变温度，高的上临界场，为高性能铁基“122”系高温超导薄膜材料的制备提供了新思路，在超导强电磁及微电子应用方面具有较好的前景。