发明公开
- 专利标题： 一种用于半导体电极制备中的镍腐蚀方法
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申请号： CN202110280158.9申请日： 2021-03-16
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公开(公告)号： CN115083909A公开(公告)日： 2022-09-20
- 发明人: 孙俊敏 , 刘瑞 , 吴昊 , 韩立群
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司德州供电公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山东省电力公司德州供电公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国家电网有限公司,国网山东省电力公司德州供电公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号： H01L21/3213
- IPC分类号： H01L21/3213 ; C23C14/16 ; C23C14/24 ; C23C14/34 ; C23C14/58 ; C23F1/02 ; C23F1/28
摘要：
本发明公开了一种用于半导体电极制备中的镍腐蚀方法，其包括：在晶圆上镍成膜并高温退火；选择性去除所述晶圆上的镍膜；处理晶圆，本发明提供的技术方案有效的去除了氧化膜表面镍，保留了镍和晶圆接触处且不腐蚀氧化膜，满足了欧姆接触工艺对腐蚀的严格要求，且操作步骤简单。
IPC分类:
