本发明提供一种基于导电丝电极的相变存储器及其制备方法，通过在底电极层施加正电压脉冲，顶电极层接地，使相变材料在晶态与非晶态之间实现相变过程，进而对器件的阻态进行调节。在施加脉冲后，活性电极中金属阳离子会被氧化，在介质层半导体材料中的缺陷中快速迁移，并在介质层中形成稳定的导电丝。由于介质层导电性能差，形成的导电丝作为底电极与相变材料层的接触点，使得相变材料层在相变过程中的升温区域减小，器件的有效相变面积减小，因此使其工作电流减小。该结构可以有效降低相变存储器的功耗，提高了相变存储器的性能，具有广阔的应用前景。