发明公开
- 专利标题: 一种氮化镓异质结双极型光子晶体管及其制备方法
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申请号: CN202210769781.5申请日: 2022-07-01
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公开(公告)号: CN115117209A公开(公告)日: 2022-09-27
- 发明人: 刘志宏 , 许淑宁 , 樊雨佳 , 徐美 , 危虎 , 周瑾 , 邢伟川 , 张苇杭 , 冯欣 , 张进成 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
- 申请人地址: 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 专利权人: 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学广州研究院,西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋;
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L33/06 ; H01L33/08
摘要:
本发明公开了一种氮化镓异质结双极型光子晶体管及其制备方法,包括:衬底;以及依次设置于衬底上的成核层、缓冲层;集电区,设置于缓冲层上;集电极,设置于集电区上的一端;下多量子阱层,设置于集电区上的另一端;集电极与下多量子阱层之间存在间隔;基区,设置于下多量子阱层上;基极,设置于基区上的一端;其中,基极和集电极设置于同一侧;上多量子阱层,设置于基区上的另一端;基极与上多量子阱层之间存在间隔;发射区,设置于上多量子阱层上;发射极,设置于发射区上的一端;发射极与集电极设置于不同侧;其中,集电区、下多量子阱层、基区、上多量子阱层和发射区的材料均为三族氮化物。本发明同时具有晶体管和LED的功能。
IPC分类: