Invention Grant
- Patent Title: 一种基于晶面效应策略的NiO/g-C3N4光催化制氢阴极材料及其制备方法
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Application No.: CN202210719773.XApplication Date: 2022-06-23
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Publication No.: CN115121253BPublication Date: 2023-06-09
- Inventor: 高剑 , 李丹 , 周称新
- Applicant: 四川启睿克科技有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府四街199号1栋33层
- Assignee: 四川启睿克科技有限公司
- Current Assignee: 四川启睿克科技有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府四街199号1栋33层
- Agency: 四川省成都市天策商标专利事务所
- Agent 胡慧东
- Main IPC: B01J23/755
- IPC: B01J23/755 ; B01J27/24 ; B01J35/00 ; C01B3/04
Abstract:
本发明公开了一种基于晶面效应策略的NiO/g‑C3N4光催化制氢阴极材料及其制备方法,包括以下步骤:将NiO粉末分散于去离子水中形成第一分散液;将g‑C3N4块体粉末分散在盐酸溶液中并超声搅拌均匀得到第二分散液,将第二分散液洗涤、干燥得到HCN粉末;将HCN粉末分散至去离子水中得到第三分散液;第一分散液逐滴滴加到第三分散液中并持续搅拌得到NiO/g‑C3N4复合分散液,干燥后得到NiO/g‑C3N4复合光催化材料。本发明基于晶面工程效应,合成了一种成本低廉、制备方法简单可行的用于可见光光响应的NiO/g‑C3N4光解水制氢复合催化剂材料,加快产氢效率,提高了产氢活性。
Public/Granted literature
- CN115121253A 一种基于晶面效应策略的NiO/g-C3N4光催化制氢阴极材料及其制备方法 Public/Granted day:2022-09-30
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