发明公开
- 专利标题: 一种大面积阵列微沟槽空间弯曲薄壁结构的电辅助制备方法
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申请号: CN202210798974.3申请日: 2022-07-12
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公开(公告)号: CN115156395A公开(公告)日: 2022-10-11
- 发明人: 汤泽军 , 董志犇 , 陶克梅
- 申请人: 南京航空航天大学
- 申请人地址: 江苏省南京市秦淮区御道街29号南京航空航天大学15号楼207办公室
- 专利权人: 南京航空航天大学
- 当前专利权人: 南京航空航天大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市秦淮区御道街29号南京航空航天大学15号楼207办公室
- 主分类号: B21D33/00
- IPC分类号: B21D33/00 ; B21D43/09 ; B21D37/16
摘要:
本发明公开一种难变形材料带有连续大面积阵列微沟槽的空间弯曲薄壁结构件的电辅助制备方法,具体涉及钛合金、高强铝合金、高温合金箔材等难变形材料微沟槽辊压成形方法。所述方法包括在难变形金属箔材中通入可变电参数的脉冲电流,给定微沟槽成形深度h,通过温度反馈调节系统及散热单元辅助手段,保持试样表面温度场空间差异分布T0、T1、…Ti…Tn‑1、Tn,以此得到箔材表面微沟槽圆角回弹后曲率半径沿宽度方向呈现差异分布,电机驱动连续辊压成形即可获得带有连续大面积阵列微沟槽的空间弯曲薄壁结构件。