Invention Publication
- Patent Title: 隔离开关内绝缘电场改善绝缘水平的仿真方法及装置
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Application No.: CN202210754242.4Application Date: 2022-06-29
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Publication No.: CN115169100APublication Date: 2022-10-11
- Inventor: 邓云坤 , 稽凯 , 张博雅 , 李兴文 , 彭晶 , 赵现平 , 王科 , 张枭 , 李桥安 , 张鹏成 , 李东 , 杨伟荣
- Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
- Applicant Address: 云南省昆明市经济技术开发区云大西路105号
- Assignee: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
- Current Assignee: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
- Current Assignee Address: 云南省昆明市经济技术开发区云大西路105号
- Agency: 深圳中细软知识产权代理有限公司
- Agent 黄劼
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20 ; G06F30/10 ; G06F111/10 ; G06F111/04

Abstract:
本发明涉及一种隔离开关内绝缘电场改善绝缘水平的仿真方法及装置,所述方法包括构建隔离开关的多物理场耦合模型;其中,物理场包括隔离开关的电磁场和隔离开关的稀物质传递场;根据隔离开关的结构构造几何模型,对几何模型赋予材料属性并导入绝缘气体参数;设置各个物理场的边界条件对几何模型进行优化,得到几何优化模型,对几何优化模型进行求解,得到最优轮廓曲线;其中,最优轮廓曲线为隔离开关的结构的最优尺寸分布;获取最优轮廓曲线对应的几何模型,进行求解得到最优电场分布和最优电荷分布。本发明对隔离开关的表面电荷积聚导致的场强分布影响进行研究,从而得到直流电压下不同尺寸影响下的电势和电场强度分布,有利于其安全稳定运行。
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