发明公开
- 专利标题： 一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件
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申请号： CN202210585554.7申请日： 2022-05-27
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公开(公告)号： CN115172194A公开(公告)日： 2022-10-11
- 发明人: 张宾 , 朱瑞 , 陈新准 , 陈善任 , 肖钧尹 , 李若朋 , 雷作双 , 张福容
- 申请人： 广州奥松电子股份有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市黄埔区云骏路17号
- 专利权人： 广州奥松电子股份有限公司
- 当前专利权人： 广州奥松电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市黄埔区云骏路17号
- 代理机构： 广州华享智信知识产权代理事务所
- 代理商 代春兰; 梁顺珍
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L23/488
摘要：
本申请公开了一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件，所述方法包括：在电极本体上设置焊区；在所述焊区上设置覆盖所述焊区的第一指示区；在所述第一指示区上设置覆盖所述第一指示区的第一透光保护区；去除所述第一透光保护区和第一指示区。本申请还公开了一种采用所述方法而制得的半导体器件。本申请可以仅通过显微镜就能判断出焊区处的保护层是否完全去除，无需对焊区进行电阻测试，从而减少了测试步骤，有利于节省时间。
IPC分类:
