发明授权
- 专利标题: 超低压低容单向保护器及其制作方法
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申请号: CN202210413913.0申请日: 2022-04-20
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公开(公告)号: CN115172358B公开(公告)日: 2022-12-02
- 发明人: 刘宗贺
- 申请人: 深圳长晶微电子有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
- 专利权人: 深圳长晶微电子有限公司
- 当前专利权人: 深圳长晶微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
- 代理机构: 深圳市宏德雨知识产权代理事务所
- 代理商 李捷
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02 ; H01L21/82
摘要:
本发明提供一种超低压低容单向保护器及其制作方法,该一种超低压低容单向保护器设置有电极衬底,电极衬底上依次连接有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区,连通电极连接于第六掺杂区的一端。第二掺杂区与第一掺杂区之间连接有第一正向PN结,第三掺杂区与第二掺杂区之间连接有第一反向PN结,第四掺杂区与第三掺杂区之间连接有第二正向PN结,第五掺杂区与第四掺杂区之间连接有第二反向PN结,第六掺杂区与第五掺杂区之间连接有第三正向PN结。第四掺杂区与第五掺杂区的外侧设置有第一金属层,第二掺杂区与第三掺杂区的外侧设置有第二金属层。
公开/授权文献
- CN115172358A 超低压低容单向保护器及其制作方法 公开/授权日:2022-10-11
IPC分类: