发明公开
- 专利标题: 外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘
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申请号: CN202210632936.0申请日: 2022-06-06
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公开(公告)号: CN115206785A公开(公告)日: 2022-10-18
- 发明人: 郭艳敏 , 方园 , 邹学锋 , 盛百城
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 刘少卿
- 主分类号: H01L21/20
- IPC分类号: H01L21/20 ; H01L21/67 ; H01L21/673
摘要:
本申请适用于半导体技术领域,提供了一种外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘。该方法包括:将翘曲度为非零值的衬底放置在内部包含空气腔的衬底托盘上;采用外延工艺,在衬底的外延生长面上进行外延层生长,对上述衬底与外延层进行降温处理,以使得到翘曲度小的外延片,其中,衬底托盘的空气腔形状使得衬底托盘的边缘与中部的温差保持在预设范围区间。本申请能够减小生成的外延片的翘曲度,提高外延片的均匀性,进而提高了使用上述外延片制备得到的半导体器件的均一性以及成品率。
IPC分类: