发明公开
- 专利标题： 中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法
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申请号： CN202180017150.1申请日： 2021-02-22
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公开(公告)号： CN115210179A公开(公告)日： 2022-10-18
- 发明人: 松原俊哉 , 金贤枝 , 片山肇 , 荒井雄介
- 申请人： AGC株式会社 , AGC硅素技术株式会社
- 申请人地址： 日本东京都;
- 专利权人： AGC株式会社,AGC硅素技术株式会社
- 当前专利权人： AGC株式会社,AGC硅素技术株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都;
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2020-032046 20200227 JP 2020-161378 20200925 JP 2020-161379 20200925 JP
- 国际申请： PCT/JP2021/006697 2021.02.22
- 国际公布： WO2021/172293 JA 2021.09.02
- 进入国家日期： 2022-08-26
- 主分类号： C01B33/12
- IPC分类号： C01B33/12 ; C01B33/193
摘要：
本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00g/cm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00g/cm3。
公开/授权文献
- CN115210179B 中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法 公开/授权日：2024-03-29
