- 专利标题: 一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法
-
申请号: CN202210821107.7申请日: 2022-07-13
-
公开(公告)号: CN115224126A公开(公告)日: 2022-10-21
- 发明人: 张金风 , 刘萌 , 何琦 , 任泽阳 , 张进成 , 郝跃
- 申请人: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号;
- 专利权人: 西安电子科技大学,西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人: 西安电子科技大学,西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号;
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 辛菲
- 主分类号: H01L29/778
- IPC分类号: H01L29/778 ; H01L21/335
摘要:
本发明公开了一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法,场效应管包括:金刚石衬底、金刚石外延层、氢终端表面、空间隔离层、类受主层、源电极、漏电极和栅电极;源电极和漏电极位于氢终端表面上;空间隔离层位于源电极和漏电极之间的氢终端表面上方,空间隔离层的材料为h‑BN材料;类受主层位于空间隔离层上且覆盖空间隔离层的表面;栅电极位于类受主层上且位于源电极和漏电极之间。本发明通过在氢终端金刚石上方制备空间隔离层和类受主层介质,实现电荷由金刚石转移到类受主层介质,在金刚石表面形成高浓度二维空穴气层,并通过空间隔离层降低二维空穴气的电离杂质散射,从而提高了耗尽型器件载流子迁移率。
IPC分类: