一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种空间转移掺杂p型高迁移率耗尽型氢终端金刚石场效应管及其制备方法,场效应管包括:金刚石衬底、金刚石外延层、氢终端表面、空间隔离层、类受主层、源电极、漏电极和栅电极;源电极和漏电极位于氢终端表面上;空间隔离层位于源电极和漏电极之间的氢终端表面上方,空间隔离层的材料为h‑BN材料;类受主层位于空间隔离层上且覆盖空间隔离层的表面;栅电极位于类受主层上且位于源电极和漏电极之间。本发明通过在氢终端金刚石上方制备空间隔离层和类受主层介质,实现电荷由金刚石转移到类受主层介质,在金刚石表面形成高浓度二维空穴气层,并通过空间隔离层降低二维空穴气的电离杂质散射,从而提高了耗尽型器件载流子迁移率。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/778 .....带有二维载流子气沟道的,如HEMT
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