发明公开
- 专利标题： 一种氧化铝基激光衰减片的制备方法
-
申请号： CN202210951958.3申请日： 2022-08-09
-
公开(公告)号： CN115231905A公开(公告)日： 2022-10-25
- 发明人: 段园园 , 宋一兵 , 吉晓 , 阴万宏 , 于东钰 , 张彪 , 陈超 , 王亮 , 邹勇
- 申请人： 西安应用光学研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市雁塔区电子三路西段九号
- 专利权人： 西安应用光学研究所
- 当前专利权人： 西安应用光学研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市雁塔区电子三路西段九号
- 代理机构： 中国兵器工业集团公司专利中心
- 代理商 刘二格
- 主分类号： C04B35/10
- IPC分类号： C04B35/10 ; G02B5/20 ; C04B35/622 ; C03B20/00 ; C04B37/04
摘要：
本发明属于复合功能材料技术领域，公开了一种氧化铝基激光衰减片的制备方法，步骤为：S1.制备衰减片用陶瓷基片，S2.制备衰减片用石英基片，S3.制备激光衰减片。本发明可获得性能优异的激光衰减片，其寿命高、衰减稳定性好，可多次循环使用，并且衰减率可控，实现了激光衰减片快速小批量制作的目标，解决了在激光制导时高的激光能量密度会造成接收器的损坏的关键问题，提高了接收器的使用寿命。
公开/授权文献
- CN115231905B 一种氧化铝基激光衰减片的制备方法 公开/授权日：2023-07-14
