- 专利标题： 一种兼具低吸收比和高发射率的轻质高强复合材料及其制备方法
-
申请号： CN202110434722.8申请日： 2021-04-22
-
公开(公告)号： CN115232437B公开(公告)日： 2024-05-24
- 发明人: 安振国 , 袁静 , 张敬杰
- 申请人： 中国科学院理化技术研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村东路29号
- 专利权人： 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村东路29号
- 代理机构： 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 邹欢
- 主分类号： C08L63/00
- IPC分类号： C08L63/00 ; C08K9/02 ; C08K7/28 ; C08K3/22
摘要：
本发明公开一种兼具低吸收比和高发射率的轻质高强复合材料，所述复合材料由包含树脂基体和掺杂在所述树脂基体中的中空微球的原料经固化后得到；所述复合材料中，中空微球掺杂在树脂基体中；其中，所述中空微球为三壳层中空微球，壳层由内之外依次为硅酸盐玻璃层、二氧化硅层和二氧化钛层。该复合材料兼具低吸收比和高发射率的特点，克服了具有泡孔结构的传统轻量化聚合物材料强度低、热功能性不足等缺点。本发明还公开了该轻质高强复合材料的制备方法。
公开/授权文献
- CN115232437A 一种兼具低吸收比和高发射率的轻质高强复合材料及其制备方法 公开/授权日：2022-10-25
