发明公开
- 专利标题: VB法制备超高纯多晶锗的方法
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申请号: CN202210829095.2申请日: 2022-07-15
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公开(公告)号: CN115233305A公开(公告)日: 2022-10-25
- 发明人: 包文瑧 , 柳廷龙 , 普世坤 , 刘吉才 , 何永彬 , 刘晋
- 申请人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 专利权人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- 当前专利权人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
- 代理机构: 昆明祥和知识产权代理有限公司
- 代理商 和琳
- 主分类号: C30B28/06
- IPC分类号: C30B28/06 ; C30B29/08
摘要:
VB法制备超高纯多晶锗的方法,属于超高纯锗多晶制备领域。本发明的方法,包括以下步骤:采用VB法定向凝固结晶,将6‑8N纯度的锗多晶原料放入特殊处理的高纯石英坩埚内,再将其装入高纯石英管内通入高纯氢气,对6‑8N纯度的多晶锗在超高纯氢气气氛中进行高频感应加热,使其全部熔化为液体,保持高频感应加热持续不变,缓慢下降载有锗液体的高纯石英坩埚,使液体自下而上的缓慢凝固,使其中的微量杂质在固液转换的界面中,由于分凝系数不同,不断富集至晶体下部,从而把6‑8N纯度的多晶锗提纯至>12N纯度的超高纯多晶锗。
公开/授权文献
- CN115233305B VB法制备超高纯多晶锗的方法 公开/授权日:2023-06-20
IPC分类: