发明授权
- 专利标题: MEMS压力传感器的封装结构及方法
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申请号: CN202211151572.0申请日: 2022-09-21
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公开(公告)号: CN115235681B公开(公告)日: 2022-12-20
- 发明人: 刘同庆
- 申请人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 代理机构: 北京中知法苑知识产权代理有限公司
- 代理商 魏言笑
- 主分类号: G01L9/00
- IPC分类号: G01L9/00 ; G01L19/00 ; G01L19/04 ; G01L19/06 ; G01L19/14 ; B81B7/00 ; B81B7/02 ; B81C1/00
摘要:
本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法,所述MEMS压力传感器的封装结构包括:膜片,与底座形成密封腔体,所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片,当外界压力增大时,所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲,以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力;封盖,设于所述底座上并悬置于所述膜片的远离所述密封腔体的一侧;连接于所述膜片的第一电极和连接于所述封盖的第二电极,当所述封盖和所述膜片通过对应电极接入电压时,所述封盖与所述膜片之间产生用于平衡过载压力的静电引力。本申请的封装结构可以避免密封腔体因压力过载而过渡收缩导致传感芯片损坏,从而实现过载保护。
公开/授权文献
- CN115235681A MEMS压力传感器的封装结构及方法 公开/授权日:2022-10-25