发明授权
- 专利标题: MEMS压力传感器的封装结构及方法
-
申请号: CN202211151573.5申请日: 2022-09-21
-
公开(公告)号: CN115235682B公开(公告)日: 2022-12-20
- 发明人: 刘同庆
- 申请人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人: 无锡芯感智半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
- 代理机构: 北京中知法苑知识产权代理有限公司
- 代理商 魏言笑
- 主分类号: G01L9/00
- IPC分类号: G01L9/00 ; G01L19/00 ; G01L19/04 ; G01L19/06 ; G01L19/14 ; B81B7/00 ; B81B7/02 ; B81C1/00
摘要:
本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法,所述MEMS压力传感器的封装结构包括:底座,与膜片形成密封腔体,所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片,当外界压力增大时,所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲,以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力;所述底座包括底板,所述底板包括第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的N型半导体和P型半导体,所述N型半导体与所述P型半导体相串联后与直流电源连接。本申请的封装结构可以实现对密封腔体内部温度的控制,能够避免环境温度变化导致传感器芯片性能产生漂移的问题。
公开/授权文献
- CN115235682A MEMS压力传感器的封装结构及方法 公开/授权日:2022-10-25