发明公开
- 专利标题： 一种MIM电容及其制备方法
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申请号： CN202210950215.4申请日： 2022-08-09
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公开(公告)号： CN115295538A公开(公告)日： 2022-11-04
- 发明人: 施村成 , 李恋恋 , 都安彦
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 史晶晶
- 主分类号： H01L23/64
- IPC分类号： H01L23/64 ; H01L49/02
摘要：
本发明涉及一种MIM电容及其制备方法。一种MIM电容，其包括：半导体衬底；所述半导体衬底上设有至少一条沟槽，所述沟槽的边缘呈棘状突出结构；所述沟槽内部由下至上依次填充有第一导电层、介质层、第二导电层和金属填充层，并且所述第一导电层覆盖所述沟槽的所有底表面。本发明没有类似传统平面MIM电容需要经历刻蚀的问题，也不会产生应力而导致的分层隆起问题，还可以根据需要进行电容量扩展，提高集成度。