发明公开
- 专利标题: 一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法
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申请号: CN202211123931.1申请日: 2022-09-15
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公开(公告)号: CN115341282A公开(公告)日: 2022-11-15
- 发明人: 刘增伟 , 周光权 , 李瑞评 , 曾柏翔
- 申请人: 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址: 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人: 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人: 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 主分类号: C30B29/20
- IPC分类号: C30B29/20 ; C30B7/14 ; H01L33/00
摘要:
本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法,该衬底改性处理方法通过在衬底表面涂覆反应溶液,生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底之间的分离。其中,碱金属盐经过化学反应后生成氧化物,具有较多优点:首先,生成的氧化物能够与衬底中的氧化铝发生反应生成偏铝酸盐,偏铝酸盐溶于水后实现相邻衬底之间的分离;偏铝酸盐又能进一步分解为氧化物及氧化铝中间产物,该氧化铝中间产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙,加速多晶层的生成;氧化物在与衬底中的氧化铝发生反应时,会在衬底表面形成微凹坑,从而加速反应并释放应力;此外,衬底表面残余的氧化物还能进一步溶于水,从而也能促进相邻衬底之间的分离。
IPC分类: