发明公开
- 专利标题： 一种双乙酰基二茂铁复合多孔硅电极材料及其制备和应用
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申请号： CN202210868261.X申请日： 2022-07-21
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公开(公告)号： CN115347160A公开(公告)日： 2022-11-15
- 发明人: 汪徐春 , 王桂玲 , 江高波 , 张雪梅 , 周化光 , 陈俊明 , 郑胜彪 , 姚悦 , 张玉洋 , 汤凯
- 申请人： 安徽科技学院
- 申请人地址： 安徽省滁州市凤阳县东华路
- 专利权人： 安徽科技学院
- 当前专利权人： 安徽科技学院
- 当前专利权人地址： 安徽省滁州市凤阳县东华路
- 代理机构： 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 廖碧淳
- 主分类号： H01M4/36
- IPC分类号： H01M4/36 ; H01M4/139 ; H01M4/1395 ; H01M4/1399 ; H01M4/38 ; H01M4/60
摘要：
本发明提供了一种双乙酰基二茂铁复合多孔硅电极材料及其制备和应用。所述电极材料由多孔硅与双乙酰基二茂铁通过固相反应得到。本发明在复合电极中，采用由双乙酰基二茂铁与多孔硅复合所得的电极材料，一方面形成了π电子共轭体系，提高了多孔硅的比容量以及复合电极的充放电性能，另一方面通过乙酰基上的氢氧键增强与多孔硅的结合力，减小了多孔硅在充放电时的体积膨胀，提高了复合电极的充放电容量和安全性等，进而显著提升了复合电极的电化学性能。
