- 专利标题: 消除GH4151合金低熔点相及破碎MC碳化物的方法
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申请号: CN202211027130.5申请日: 2022-08-25
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公开(公告)号: CN115354252A公开(公告)日: 2022-11-18
- 发明人: 曲敬龙 , 谢兴飞 , 吕少敏 , 唐超 , 杜金辉 , 毕中南 , 孙少斌
- 申请人: 北京钢研高纳科技股份有限公司 , 四川钢研高纳锻造有限责任公司
- 申请人地址: 北京市海淀区大柳树南村19号;
- 专利权人: 北京钢研高纳科技股份有限公司,四川钢研高纳锻造有限责任公司
- 当前专利权人: 北京钢研高纳科技股份有限公司,四川钢研高纳锻造有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区大柳树南村19号;
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 郭莲梅
- 主分类号: C22F1/10
- IPC分类号: C22F1/10 ; C22C19/05
摘要:
本发明涉及合金处理技术领域,尤其是涉及一种消除GH4151合金低熔点相及破碎MC碳化物的方法。包括如下步骤:(a)GH4151合金铸锭于600~950℃保温,然后于1200~1220℃保温;(b)再于1180~1200℃保温,镦粗和拔长;在1180~1200℃保温,再降温至1160~1180℃保温;(c)再镦粗和拔长;然后于1160~1180℃保温,再降温至1140~1160℃保温;(d)再镦粗和拔长;然后于1120~1140℃保温,炉冷至室温。本发明能够有效消除GH4151合金中的低熔点有害相,破碎MC一次碳化物,消除元素偏析,提高合金纯净度,提高合金热变形能力。
公开/授权文献
- CN115354252B 消除GH4151合金低熔点相及破碎MC碳化物的方法 公开/授权日:2023-04-18