- 专利标题: 一种S型六极磁体半嵌槽式骨架结构及绕线方法
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申请号: CN202211315174.8申请日: 2022-10-26
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公开(公告)号: CN115394518B公开(公告)日: 2023-03-14
- 发明人: 魏绍清 , 刘华军 , 张展 , 黄兴萌 , 颜正天 , 刘方 , 施毅
- 申请人: 合肥国际应用超导中心
- 申请人地址: 安徽省合肥市合肥经开区空港经济示范区硕放路1号
- 专利权人: 合肥国际应用超导中心
- 当前专利权人: 合肥国际应用超导中心
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市合肥经开区空港经济示范区硕放路1号
- 代理机构: 北京睿智保诚专利代理事务所
- 代理商 孙盟盟
- 主分类号: H01F7/20
- IPC分类号: H01F7/20 ; H01F27/26 ; H01F27/30 ; H01F41/064
摘要:
本发明公开了一种S型六极磁体半嵌槽式骨架结构及绕线方法,涉及磁体研制技术领域,其中,S型六极磁体半嵌槽式骨架结构包括:衬筒;绕线组件,绕线组件固定设置在衬筒上,且绕线组件靠近衬筒的一端,绕线组件设有三个,三个绕线组件以衬筒的中心轴呈环形阵列布设;第一挡板,相邻两个绕线组件之间均设置有一个第一挡板;第二挡板,第二挡板与相邻的第一挡板间隔设置,且每一个绕线组件所在的轴线上均设置有一个第二挡板,第二挡板与绕线组件之间存在间隙;其中,第二挡板为磁性件,第一挡板上与第二挡板对应的部分也为磁性件。本发明能够减小磁体的轴向长度,并实现磁体直线段的密绕,提高了电磁效率及线材利用率。
公开/授权文献
- CN115394518A 一种S型六极磁体半嵌槽式骨架结构及绕线方法 公开/授权日:2022-11-25