本申请涉及半导体光刻方法、系统、设备和计算机可读存储介质，该半导体光刻方法在得到初次工艺处理后的晶圆的基础上，对旋涂碳涂层进行清洗，对清洗后的晶圆的基底进行表面预处理，即对清洗后的基底通入氢气和氮气的混合气体，并保持预设通入时长，氢气和氮气的混合比例为1.5~1.8，预设通入时长为60s~80s，当预设通入时长结束后，对通气后的基底进行烘烤，并保持预设烘烤时长，预设烘烤时长为60s~80s，烘烤的温度为145℃~155℃，在表面预处理后的基底表面重新设置旋涂碳涂层，以对基底预处理后的晶圆进行光刻与刻蚀的二次工艺处理，能够克服基底清洗过程对于基底表面所造成的表面改性缺点。