发明公开
- 专利标题: 一种核屏蔽用富镝镍钨合金材料及其制备方法
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申请号: CN202211071009.2申请日: 2022-09-02
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公开(公告)号: CN115418530A公开(公告)日: 2022-12-02
- 发明人: 王勇 , 梅其良 , 肖学山 , 丁谦学 , 李聪 , 潘杰 , 黄小林 , 石悠 , 付亚茹 , 高静 , 彭超 , 毛兰方 , 高圣钦 , 朱自强 , 黎辉
- 申请人: 上海核工程研究设计院有限公司
- 申请人地址: 上海市徐汇区虹漕路29号
- 专利权人: 上海核工程研究设计院有限公司
- 当前专利权人: 上海核工程研究设计院股份有限公司
- 当前专利权人地址: 200233 上海市徐汇区虹漕路29号
- 代理机构: 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理商 张晓鹏
- 主分类号: C22C19/05
- IPC分类号: C22C19/05 ; C22C1/02 ; C22C27/04 ; C22C30/00 ; C22F1/10 ; C22F1/18 ; B21C37/02 ; B21C37/04 ; G21F1/08
摘要:
本发明公开了一种核屏蔽用富镝镍钨基合金材料及其制备方法,属于核能特种合金材料技术领域。根据镍、铬、钨、镝合金化原理,在镍基奥氏体合金真空感应熔炼过程中,加入合适比例的镍、铬、钨、镝可制备得到高镝和高钨含量耐腐蚀性能优良的镍钨合金材料,该材料主要由奥氏体和沿奥氏体晶界分布的(Ni,Cr,W)5Dy金属间化合物组成。本发明富镝镍钨合金材料具有强度高、耐腐蚀和加工成型性优良的优点,可作为中子和光子协同屏蔽功能结构一体化材料使用。
公开/授权文献
- CN115418530B 一种核屏蔽用富镝镍钨合金材料及其制备方法 公开/授权日:2023-11-17