- 专利标题: 一种贵金属高熵合金电接触材料及其制备方法
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申请号: CN202211250879.6申请日: 2022-10-13
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公开(公告)号: CN115418545B公开(公告)日: 2023-07-25
- 发明人: 秦国义 , 袁斌 , 茶旺华 , 许思勇
- 申请人: 云南大学
- 申请人地址: 云南省昆明市翠湖北路2号
- 专利权人: 云南大学
- 当前专利权人: 云南大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市翠湖北路2号
- 代理机构: 昆明合众智信知识产权事务所
- 代理商 张玺
- 主分类号: C22C30/02
- IPC分类号: C22C30/02 ; C22C30/04 ; C22F1/00 ; C22F1/02 ; C21D9/00 ; C22C1/02 ; H01B1/02
摘要:
本发明公开了一种贵金属高熵合金电接触材料及其制备方法,按质量百分数计:Au 18~28%;Cu 18~28%;Ni 18~28%;余量为其它金属元素,所述其它金属元素为Pt、Pd其中的一种或两种的金属元素;本发明提高了合金硬度与强度,也降低了合金成本,同时也降低了合金的电阻率。在航空航天、精密电器元件等领域有着极大的潜在应用价值;本发明制备的贵金属高熵合金电接触材料显微硬度为449~468HV,抗拉强度为1389~1674MPa,电阻率为29.2~57.33μΩ·cm。
公开/授权文献
- CN115418545A 一种贵金属高熵合金电接触材料及其制备方法 公开/授权日:2022-12-02