发明授权
- 专利标题: 消磁装置和方法、存储介质
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申请号: CN202210978194.7申请日: 2022-08-15
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公开(公告)号: CN115424809B公开(公告)日: 2023-12-15
- 发明人: 吕钧 , 龚博 , 喻超凡 , 曾胜 , 郭胡彬
- 申请人: 珠海市奥德维科技有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市香洲区福田路10号厂房1一层-5
- 专利权人: 珠海市奥德维科技有限公司
- 当前专利权人: 珠海市奥德维科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市香洲区福田路10号厂房1一层-5
- 代理机构: 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理商 张龙哺
- 主分类号: H01F13/00
- IPC分类号: H01F13/00
摘要:
本发明公开了一种消磁装置和方法、存储介质,涉及消磁技术领域。消磁装置包括控制器、可控硅调压模块和线圈,控制器用于获取消磁信号,并根据消磁信号产生PWM信号,PWM信号的频率固定,且PWM信号的占空比随着脉冲周期的增加而逐渐减小至零;可控硅调压模块用于根据PWM信号,产生不同的导通角对交流输入电压进行调节,并输出调节后的交流输出电压;线圈用于根据交流输出电压,产生对应的交流电流,使得线圈范围内的迟滞回线逐渐减小至零,从而对线圈内的元件进行消磁。根据本发明实施例的消磁装置,可控硅调压模块的体积小、成本低、功率较大,可以应用在检测设备上用于消磁。
公开/授权文献
- CN115424809A 消磁装置和方法、存储介质 公开/授权日:2022-12-02
IPC分类:
H | 电学 |
H01 | 基本电气元件 |
H01F | 磁体;电感;变压器;磁性材料的选择 |
H01F13/00 | 磁化或去磁的设备或方法 |