发明授权
- 专利标题: 一种高真空环境用等离子体源自启动装置
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申请号: CN202210977644.0申请日: 2022-08-15
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公开(公告)号: CN115426760B公开(公告)日: 2023-10-13
- 发明人: 孙新锋 , 吴辰宸 , 耿海 , 吕方伟 , 蒲彦旭 , 李兴达 , 贾艳辉 , 岳士超
- 申请人: 兰州空间技术物理研究所
- 申请人地址: 甘肃省兰州市城关区高新飞雁街100号
- 专利权人: 兰州空间技术物理研究所
- 当前专利权人: 兰州空间技术物理研究所
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市城关区高新飞雁街100号
- 代理机构: 北京元理果知识产权代理事务所
- 代理商 饶小平
- 主分类号: H05H1/46
- IPC分类号: H05H1/46 ; F03H1/00
摘要:
本发明公开了一种高真空环境用等离子体源自启动装置,包括陶瓷体、气体分配器、二级射频放电体、线槽一、线槽二、陶瓷罩、射频线圈,所述陶瓷体为沿轴线方向设置中部腔室的圆柱形回转体,所述陶瓷体至少一端设置为进气端、另一端设置为出气端,所述陶瓷体的进气端通过端盖一封闭,所述二级射频放电体同轴设置在所述陶瓷体的出气端,所述二级射频放电体的小锥端外壁与所述陶瓷体的外壁一体连接,所述陶瓷体的腔室与所述二级射频放电体的小锥孔密封连接连通,所述气体分配器设置在所述陶瓷体的出气端的腔室内部。本发明实现了高真空环境用等离子体源自启动装置启动的可靠性及等离子体沿壁面分布均匀性设计,提高了放电的效率。
公开/授权文献
- CN115426760A 一种高真空环境用等离子体源自启动装置 公开/授权日:2022-12-02
IPC分类: