发明授权
- 专利标题： 生长单层石墨烯的工艺方法
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申请号： CN202110622642.5申请日： 2021-06-03
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公开(公告)号： CN115433920B公开(公告)日： 2024-05-14
- 发明人: 马瑜 , 沈晗睿
- 申请人： 上海新池能源科技有限公司 , 浙江正泰电器股份有限公司
- 申请人地址： 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路1411号4幢202室;
- 专利权人： 上海新池能源科技有限公司,浙江正泰电器股份有限公司
- 当前专利权人： 上海新池能源科技有限公司,浙江正泰电器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区嘉定工业区叶城路1411号4幢202室;
- 代理机构： 北京卓言知识产权代理事务所
- 代理商 王茀智; 赵云
- 主分类号： C23C16/26
- IPC分类号： C23C16/26 ; C23C16/02 ; C25F1/04
摘要：
本发明涉及材料制备技术领域，具体涉及一种生长单层石墨烯的工艺方法，其包括以下步骤：步骤1，将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中，在工作电极和对电极之间施加电压V0，对铜箔进行处理，持续时间t0；步骤2，将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗，并用氮气吹干铜箔；步骤3，将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间，采用化学气相沉积法，在铜箔两侧生长单层石墨烯；本发明的工艺方法，其制备的单层石墨烯纯净度高。
公开/授权文献
- CN115433920A 生长单层石墨烯的工艺方法 公开/授权日：2022-12-06
IPC分类:
