发明公开
- 专利标题: 声屏障降噪结构及其设计方法
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申请号: CN202210949693.3申请日: 2022-08-09
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公开(公告)号: CN115440181A公开(公告)日: 2022-12-06
- 发明人: 张辉 , 朱一凡 , 苏梓豪 , 罗志涛
- 申请人: 东南大学
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人: 东南大学
- 当前专利权人: 东南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司
- 代理商 郝雅洁
- 主分类号: G10K11/172
- IPC分类号: G10K11/172
摘要:
本发明涉及一种的声屏障降噪结构及其设计方法,包括:将所测噪声频谱的高频噪声的高频谷值确定为所述谐振单元的高频隔声量的谷值频率,将低频噪声的低频峰值确定为所述复合波导层的低频隔声量的峰值频率,根据低频峰值的个数确定亥姆霍兹腔的数量;根据谷值频率计算获得关于微穿孔板层的厚度、微穿孔板层上小孔的直径、中空腔体层的厚度及其横截面尺寸参数关系式,从而对相关参数进行优化选择;根据每个峰值频率分别计算获得关于相应亥姆霍兹腔的体积、以及其对应喉管的有效面积、横截面长度关系式,从而对有效面积进行优化选择。设计出的结构通过谐振系统控制高频噪声,利用复合波导层的亥姆霍兹腔控制低频噪声,实现大频率范围内的选择性隔声。