本申请公开了公开了一种用于全彩显示的RGB混合集成Micro‑LED芯片阵列的制备方法。本方案中，芯片的结构设计采用RGB集成的方式，红蓝绿三种LED用于独立单色显示，进而使所述Micro‑LED芯片阵列实现可控的全彩显示。其次，GaN蓝光显示器件采用侧壁倾斜的设计，有利于蓝光的光提取。再者，侧壁铝金属反射镜、各显色器件的金属反射电极以及电极反射镜共同组成RGB混合集成Micro‑LED芯片的内部反射系统；所述内部反射系统可使GaN蓝光显示器件，钙钛矿绿光显示器件和有机物红光显示器件内部产生的光在芯片内部充分调和，同时提高了底部出光面的光提取效率。故此，提高了全彩显示质量。