- 专利标题: 一种基于电场阵列的劣化绝缘子识别方法、装置及介质
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申请号: CN202210976598.2申请日: 2022-08-15
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公开(公告)号: CN115453281B公开(公告)日: 2024-11-05
- 发明人: 高拓宇 , 韩学春 , 郝宝欣 , 陈轩 , 冯新民 , 成强 , 张小刚 , 郑飞 , 钱聪 , 钱林清
- 申请人: 国网江苏省电力有限公司超高压分公司
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区南京市江宁开发区苏源大道56号
- 专利权人: 国网江苏省电力有限公司超高压分公司
- 当前专利权人: 国网江苏省电力有限公司超高压分公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区南京市江宁开发区苏源大道56号
- 代理机构: 北京智绘未来专利代理事务所
- 代理商 郑直
- 主分类号: G01R31/12
- IPC分类号: G01R31/12
摘要:
一种基于电场阵列的劣化绝缘子识别方法、装置及介质,该方法主要针对零值瓷绝缘子的识别。其中电场探头按照上中下等间距布置,形成条状结构阵列,分别记为E1、E2、E3,通过对比三个电场探头之间的数值关系来识别绝缘子劣化缺陷类型。可以识别的劣化缺陷类型包括瓷绝缘子零值以及绝缘子内部放电两种。电场阵列布置成条状结构,可以避免电场探头位置改变对检测识别结果造成的影响。本方法与现有的电场分布法相比,可以做到即测即检,不需要通过获得绝缘子串的电场分布曲线,而只需要对局部的电场变化特性进行识别,从而检测出劣化绝缘子,操作简单易行,适用于推广。
公开/授权文献
- CN115453281A 一种基于电场阵列的劣化绝缘子识别方法、装置及介质 公开/授权日:2022-12-09