发明公开
- 专利标题: 一种RAM区辐照效应的异常检测方法、存储介质及系统
-
申请号: CN202210958992.3申请日: 2022-08-10
-
公开(公告)号: CN115458023A公开(公告)日: 2022-12-09
- 发明人: 董佳杰 , 赵原 , 曹勤剑 , 夏三强 , 李岩 , 王晓龙 , 赵恒椿
- 申请人: 中国辐射防护研究院
- 申请人地址: 山西省太原市小店区学府街102号
- 专利权人: 中国辐射防护研究院
- 当前专利权人: 中国辐射防护研究院
- 当前专利权人地址: 山西省太原市小店区学府街102号
- 代理机构: 北京天悦专利代理事务所
- 代理商 田明; 任晓航
- 主分类号: G11C29/04
- IPC分类号: G11C29/04 ; G11C29/42 ; G11C29/50
摘要:
本发明涉及一种RAM区辐照效应的异常检测方法,包括步骤:在堆区创建测试验证区,并将堆区的数据初始化;将选取地址内的堆区RAM设置成EDAC模式,以将该区域的数据进行EDAC编码后写入实际物理内存;读取堆区内容,判断是否产生EDAC校验错误;当发生EDAC校验错误后,对EDAC编码的内容进行解码,以将结果进行显示。本发明还提供一种存储介质及一种RAM区辐照效应的异常检测系统,采用本发明所述的RAM区辐照效应的异常检测方法、存储介质及系统实现了通过软件的方式模拟异常检测并进行量化。