发明授权
- 专利标题： 一种深度一二次融合断路器及其生产工艺
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申请号： CN202211232760.6申请日： 2022-10-10
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公开(公告)号： CN115458361B公开(公告)日： 2023-05-02
- 发明人: 艾达富 , 石斌 , 李红梅 , 杨进勇 , 罗波
- 申请人： 宇光电气有限公司
- 申请人地址： 浙江省温州市乐清市城南街道界岱工业区(另设分支机构经营场所:乐清经济开发区纬五路189号(浙江科棋电气有限公司内))
- 专利权人： 宇光电气有限公司
- 当前专利权人： 宇光电气有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省温州市乐清市城南街道界岱工业区(另设分支机构经营场所:乐清经济开发区纬五路189号(浙江科棋电气有限公司内))
- 代理机构： 天津智行知识产权代理有限公司
- 代理商 韦金腾
- 主分类号： H01H33/662
- IPC分类号： H01H33/662 ; H01H33/664
摘要：
本发明涉及一种深度一二次融合断路器及其生产工艺，包括：底座；绝缘极柱，所述绝缘极柱设有三个；电流传感器柱，所述电流传感器柱的数量与绝缘极柱相同；隔离刀组开关；其中，所述绝缘极柱设在底座上，所述电流传感器柱与绝缘极柱一一对应连接且一体设置，所述隔离刀组设在底座的一侧上且与绝缘极柱和底座连接。本发明的有益效果为：电流传感器柱与绝缘极柱外部的基体一体化设置能有效的将下出线包裹在内，提高下出线的连接稳定性以及密封性。
公开/授权文献
- CN115458361A 一种深度一二次融合断路器及其生产工艺 公开/授权日：2022-12-09
