Invention Grant
- Patent Title: 钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片
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Application No.: CN202211408734.4Application Date: 2022-11-11
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Publication No.: CN115458675BPublication Date: 2023-04-18
- Inventor: 邓昊 , 张晓航
- Applicant: 阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司
- Applicant Address: 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路969号3幢5层516室
- Assignee: 阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司
- Current Assignee: 阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路969号3幢5层516室
- Agency: 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司
- Agent 曾红芳
- Main IPC: H10N60/01
- IPC: H10N60/01 ; G06N10/20 ; G06N10/40
Abstract:
本发明公开了一种钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：制备初始钽金属薄膜；将初始钽金属薄膜冷却至预定极低温度后，由预定极低温度上升至常温，得到目标钽金属薄膜。本发明解决了相关技术中，在制备钽金属薄膜后，对钽金属薄膜的后处理技术，对提高钽基超导量子器件在能量耗散的正面作用有限的技术问题。
Public/Granted literature
- CN115458675A 钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片 Public/Granted day:2022-12-09
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