本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备，其中，所述调控方法包括：获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，提高还原炉当前的硅粉沉积速率。