Invention Grant
- Patent Title: 一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法
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Application No.: CN202211126861.5Application Date: 2022-09-16
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Publication No.: CN115490511BPublication Date: 2023-06-06
- Inventor: 周晗 , 吴继伟 , 谢天翼 , 林慧兴
- Applicant: 大连达利凯普科技股份公司
- Applicant Address: 辽宁省大连市金州区董家沟街道金悦街21号
- Assignee: 大连达利凯普科技股份公司
- Current Assignee: 大连达利凯普科技股份公司
- Current Assignee Address: 辽宁省大连市金州区董家沟街道金悦街21号
- Agency: 大连智高专利事务所
- Agent 张钦
- Main IPC: C04B35/465
- IPC: C04B35/465 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C04B35/63 ; C03C3/068 ; C04B33/32
Abstract:
本发明属于低温共烧材料技术领域,公开了一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法。包括CSSLT(微波介质陶瓷)和BLSMZ玻璃;CSSLT的化学通式为Ca1‑xSrx[(Sn0.5La0.5)yTi1‑y]O3,其中0<x<0.2,0<y<0.3;所述BLSMZ玻璃的组成为aB2O3‑bLa2O3‑cSiO2‑dMgO‑eZnO,其中a=10~30moL%、b=0~10moL%、c=30~40moL%、d=30~40moL%、e=20~30moL%,且a+b+c+d+e=100moL%。是一种介电常数在70‑90,介电损耗低于1×10‑3(10GHz),成本低,且易于大批量生产,该低温共烧材料可用于制备电容器。
Public/Granted literature
- CN115490511A 一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法 Public/Granted day:2022-12-20
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