本发明涉及晶体生长领域，具体涉及一种制备低基平面位错的碳化硅单晶晶锭生长系统及方法，所述生长系统包括坩埚本体以及位于坩埚本体上方的坩埚盖，还包括籽晶支撑结构，其由若干均匀分布于坩埚本体内壁的支撑棒构成；圆筒式加热器，其设置在坩埚本体的外侧，且可沿竖直方向调节高度。本发明通过将籽晶的布置方式由粘贴固定式改为支撑式，可以减少由于粘结固定造成的籽晶内部应力增加，进而降低晶体内部的位错密度，同时通过设置圆筒式电阻加热器，可以在晶体生长结束后，通过调整功率变化速度，从而控制碳化硅晶体降温速率，能够有效减少因温度变化速率不合理导致的位错密度增加问题。