本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管的制备方法包括以下步骤：提供一种衬底，所述衬底表面通过外延形成N型外延层；在外延层表面生长氧化层，厚度6500Å，用P区光刻板光刻出环状图形，腐蚀开窗后，做硼注入、高温推结、形成P型掺杂分压环；用沟槽区光刻板进行沟槽区光刻，通过硅腐蚀形成多个间隔分布的沟槽区，并在各沟槽区内进行沉积多晶硅，形成对应的多晶硅掺杂区，各沟槽区深度范围为1.0~1.2μm；将各多晶硅掺杂区内进行镓铝砷注入，以形成沟槽结合镓铝砷注入的肖特基二极管。本发明旨在提高开关速度，降低正向压降，减小表面漏电流，降低功率损耗，提高器件的稳定性、可靠性及使用寿命。