发明公开
- 专利标题: 一种半固态电池及其制备方法
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申请号: CN202211546195.0申请日: 2022-12-05
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公开(公告)号: CN115548463A公开(公告)日: 2022-12-30
- 发明人: 张海源 , 黄碧英 , 孙玉伟 , 陆一飞 , 陈宇乐 , 沈钦 , 王树强 , 徐淳川 , 黄耀峰
- 申请人: 天能电池集团股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省湖州市长兴县煤山镇工业园区
- 专利权人: 天能电池集团股份有限公司
- 当前专利权人: 天能电池集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市长兴县煤山镇工业园区
- 代理机构: 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理商 沈金龙
- 主分类号: H01M10/0585
- IPC分类号: H01M10/0585 ; H01M10/0565 ; H01M10/04 ; H01M10/0525 ; C08F120/14 ; C08G65/06 ; C08F122/20 ; C08F120/28 ; C08F120/40 ; C08F118/00 ; C08F220/14 ; C08F220/28 ; C08F220/40 ; C08F218/00
摘要:
本发明公开了一种半固态电池及其制备方法。本发明半固态电池制备方法中,通过两种不同反应单体聚合速度不同,导致生成的聚合物的链长及分子量不同,电解质分层自组装是随着聚合反应时间和原位固化时间逐步完成的,整个电芯中体系的自组装分层也是随着时间逐步完成的。所述的上下两层聚合物层的界面是互相渗透均匀过渡,形成无界面状态,有利于两层的结合更加紧密牢固。综合的电解质结构可以提升原位聚合电池的安全性和循环稳定性。采用自组装原位聚合方式,减小电池内电解质和电极的界面阻抗,方法简单易于扩大生产。
公开/授权文献
- CN115548463B 一种半固态电池及其制备方法 公开/授权日:2023-04-25