Invention Grant
- Patent Title: 一种用于升华法生长晶体的坩埚装置
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Application No.: CN202211429850.4Application Date: 2022-11-16
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Publication No.: CN115558987BPublication Date: 2023-09-15
- Inventor: 高冰 , 叶宏亮 , 李俊
- Applicant: 浙江晶越半导体有限公司
- Applicant Address: 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室
- Assignee: 浙江晶越半导体有限公司
- Current Assignee: 浙江晶越半导体有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室
- Agency: 浙江千克知识产权代理有限公司
- Agent 沈涛
- Main IPC: C30B23/00
- IPC: C30B23/00
Abstract:
本发明涉及单晶制备技术领域，具体说一种用于升华法生长晶体的坩埚装置，包含坩埚主体和隔热层主体，在坩埚主体内特定部位内隔热层，以减小坩埚内晶体生长区域的温度差异。本发明装置能有效减少坩埚内晶体生长区域的温度差异，实现晶体的稳定生长，有利于提高晶体生长质量。
Public/Granted literature
- CN115558987A 一种用于升华法生长晶体的坩埚装置 Public/Granted day:2023-01-03
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