发明公开
- 专利标题: 一种带屏蔽的MEMS器件电极引出结构
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申请号: CN202211035768.3申请日: 2022-08-26
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公开(公告)号: CN115571846A公开(公告)日: 2023-01-06
- 发明人: 张乐民 , 刘福民 , 刘国文 , 徐杰 , 徐宇新 , 王学锋
- 申请人: 北京航天控制仪器研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区北京142信箱403分箱
- 专利权人: 北京航天控制仪器研究所
- 当前专利权人: 北京航天控制仪器研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北京142信箱403分箱
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 任林冲
- 主分类号: B81B7/02
- IPC分类号: B81B7/02 ; B81B7/00
摘要:
本发明涉及一种带屏蔽的MEMS器件电极引出结构,属于微机电系统制造技术领域。包括电极引线、电极屏蔽线、电极焊盘、衬底、屏蔽连接线、屏蔽线焊盘、衬底层键合锚区、梳齿层键合锚区和梳齿结构,在衬底上有金属层,在金属层上加工出多组电极引线、电极屏蔽线、电极焊盘、屏蔽连接线、屏蔽线焊盘;在衬底上有多组衬底层键合锚区;衬底层键合锚区与梳齿层键合锚区通过晶圆键合在一起;在梳齿层键合锚区上连接有梳齿结构。本发明有效降低电磁干扰与信号串扰,降低信号噪声水平,提升MEMS器件的性能。