发明公开
CN115571847A MEMS器件及制备方法
审中-实审
- 专利标题： MEMS器件及制备方法
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申请号： CN202211168281.2申请日： 2022-09-23
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公开(公告)号： CN115571847A公开(公告)日： 2023-01-06
- 发明人: 李文波 , 刘金豆 , 张寒冰 , 王龙 , 李延钊
- 申请人： 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室;
- 专利权人： 北京京东方技术开发有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 北京京东方技术开发有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室;
- 代理机构： 北京风雅颂专利代理有限公司
- 代理商 车英慧
- 主分类号： B81B7/02
- IPC分类号： B81B7/02 ; B81C1/00
摘要：
本公开提供一种MEMS器件及制备方法。具体地，MEMS器件包括：基板；以及功能层，至少部分悬空设置于所述基板上；其中，所述功能层的厚度≥1μm且≤5μm。通过提高功能层的厚度为≥1μm且≤5μm，能够增加功能层悬空结构的强度从而有效避免其塌陷，同时也能满足MEMS器件对悬空结构进行驱动的要求。
