发明公开
- 专利标题: 一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法
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申请号: CN202211247446.5申请日: 2022-10-12
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公开(公告)号: CN115597735A公开(公告)日: 2023-01-13
- 发明人: 冯科 , 王水根 , 谭庆 , 陈南菲 , 漆锐 , 邓惠丹 , 杨玉 , 段青松
- 申请人: 中冶赛迪工程技术股份有限公司(CN) , 中冶赛迪技术研究中心有限公司(CN)
- 申请人地址: 重庆市渝中区双钢路1号;
- 专利权人: 中冶赛迪工程技术股份有限公司(CN),中冶赛迪技术研究中心有限公司(CN)
- 当前专利权人: 中冶赛迪工程技术股份有限公司(CN),中冶赛迪技术研究中心有限公司(CN)
- 当前专利权人地址: 重庆市渝中区双钢路1号;
- 代理机构: 北京同恒源知识产权代理有限公司
- 代理商 杨柳岸
- 主分类号: G01K7/02
- IPC分类号: G01K7/02 ; G01K1/08 ; G01K1/12
摘要:
本发明涉及一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法,属于传感器技术领域。传感器包括保护层I、保护层II、导电种子层I、导电种子层II、粘结层I、粘结层II、绝缘层I、绝缘层II、传感层和环氧树脂。制作方法为:通过电镀、旋涂、光刻、磁控溅射、电子束蒸发、低压化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积等工艺步骤逐层沉积粘结层、绝缘层、传感层、阻挡层、种子层和保护层。本发明能有效保障传感器在恶劣工业环境中的使用效果,并有助于大幅提升其使用寿命。