本发明提出了一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，包括：获取异质结双极晶体管在预设电压时的C‑V曲线和1/C2‑V曲线；确定所述C‑V曲线和所述1/C2‑V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C‑V测试模块或I‑V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。本发明的有益效果：通过控制深能级瞬态谱的不同的测试模块对异质结双极晶体管的缺陷种类和缺陷状态进行检测，能够深入分析异质结双极晶体管内部缺陷性质和辐射损伤机制。