本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，属于二极管制备技术领域。本发明在蓝宝石衬底表面依次外延生长N+GaN层和N‑GaN层；在所述N‑GaN层表面低温生长非掺杂GaN层；所述GaN层不做任何掺杂；所述GaN层的厚度小于5nm；所述低温生长的温度为500~700℃；采用强碱性溶液对所述GaN层进行表面腐蚀，形成平整的GaN层；在所述平整的GaN层表面制作肖特基电极，在需要制作欧姆接触的区域，刻蚀N‑GaN层直至暴露出N+GaN层，在暴露出的N+GaN层表面制作欧姆电极，得到准垂直结构GaN肖特基势垒二极管。本发明制备的GaN SBD具有反向耐压高、正向导通电压低的优点。