发明授权
CN1157801C 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置的制造方法
- 专利标题（英）： Gallium nitride-based semiconductor device of compound in III-V family preparing process for
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申请号： CN00126376.5申请日： 2000-09-12
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公开(公告)号： CN1157801C公开(公告)日： 2004-07-14
- 发明人: 李清庭
- 申请人： 光磊科技股份有限公司 , 李清庭
- 申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区
- 专利权人： 光磊科技股份有限公司,李清庭
- 当前专利权人： 光磊科技股份有限公司,李清庭
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01S5/00
摘要：
一种基于氮化镓的III-V族化合物半导体装置的制造方法，包括：在基板上方形成半导体叠层构造，半导体叠层构造包括n型半导体层、主动层以及p型半导体层；蚀刻半导体叠层构造，以露出n型半导体层的一部分；在n型半导体层上形成第一电极，其中第一层电极包括欧姆接触层、阻障层与焊垫层；进行退火制作工艺，用以降低第一电极与n型半导体层之间的接触电阻，同时活化p型半导体层；与在p型半导体层上形成一第二电极。
公开/授权文献
- CN1343015A 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2002-04-03
IPC分类:
